眾所周知 磁控濺射鍍膜機 用的是磁控濺射靶材，那么磁控濺射鍍膜機 靶材在鍍膜濺射的時候會出生靶中毒現象，出現靶中毒現狀，是大家都非常頭疼的事情，既浪費了靶材，同時也耽誤了生產時間，是非常讓人頭疼的事情。

一般情況下，金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發生靶中毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數要比化合物的濺射系數高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

       影響磁控濺射真空鍍膜設備靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒。

       磁控濺射鍍膜機常見的靶中毒現象有：

  (1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。

（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。