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      磁控濺射鍍膜機的技術特點介紹

      發布日期:2022-08-15

      磁控濺射鍍膜機特別適用于反應沉積鍍膜。事實上,這種工藝設備可以沉積任何氧化物、碳化物和氮化物薄膜。此外,該工藝還特別適用于多層膜結構的沉積,包括光學設計、彩色薄膜、耐磨涂層、納米疊層、超晶格涂層、絕緣薄膜等。早在1970年,就有高質量的光學薄膜沉積案例。已經開發了多種光學薄膜材料,包括透明導電材料、半導體、聚合物、氧化物、碳化物、氮化物等。

      真空鍍膜機

        磁控濺射鍍膜機具備以下特點:

        1、沉積速率大。

        2、高功率。磁控濺射靶一般選擇200伏-1000伏范圍內的電壓,通常是600伏,因為600伏的電壓正好在功率效率的最高有效范圍內。

        3、濺射能量低。磁控管靶電壓低,磁場限制了陰極附近的等離子體,可以阻止能量較高的帶電粒子進入襯底。

        4、基片溫度低。利用陽極導電放電過程中產生的電子而不接地底座,可以有效地減少電子對基體材料的沖擊。因此,該基材具有較低的溫度,非常適合于一些耐高溫性能較差的塑料基材的涂裝。

        5、磁控濺射靶表面不均勻蝕刻。磁控濺射靶表面刻蝕不均勻是由于靶材磁場不均勻造成的,靶材局部位置刻蝕率高,使得靶材有效利用率低(利用率僅為20%-30%)。因此,為了提高靶材的利用率,需要通過一定的手段改變磁場分布或者移動陰極中的磁鐵,這樣也可以提高靶材的利用率。

        6、可制作復合靶鍍合金膜。

        7、應用范圍很廣。磁控濺射中含有多種可沉淀元素,如 Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。



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